반도체 첨단 공정, EUV와 ALD란?

 

극자외선(EUV)과 원자층 증착법(ALD)은 반도체 제조와 관련된 중요한 기술입니다. 

이 두 기술은 반도체 칩의 미세화와 성능 향상에 핵심적인 역할을 합니다.

극자외선(EUV) 리소그래피

극자외선 리소그래피는 반도체 회로를 실리콘 웨이퍼에 그리는 공정에서 사용되는 빛의 한 형태입니다.

기존의 광원 대비 파장이 더 짧은 EUV(대략 13.5nm)를 사용하여, 더 작은 특징들을 웨이퍼에 정밀하게 그릴 수 있습니다. 이는 반도체의 미세 공정 기술의 발전에 있어 중요한 돌파구로, 더 많은 트랜지스터를 동일한 면적에 배치할 수 있게 하여, 칩의 성능을 향상시키고 에너지 효율을 높일 수 있습니다.

원자층 증착법(ALD)

원자층 증착법은 매우 얇은 필름을 웨이퍼에 증착하는 공정으로, 한 번에 한 층의 원자를 증착함으로써 높은 정밀도와 균일성을 달성할 수 있습니다. 이 방법은 반도체 칩 내의 절연체, 전도체, 반도체 층 등의 제조에 사용됩니다.

 

ALD는 특히 고성능 반도체 제조에서 중요한 역할을 하며, 미세한 구조물을 정밀하게 제어할 수 있어 3D 트랜지스터와 같은 최신 반도체 기술의 발전에 기여하고 있습니다.

EUV와 ALD의 결합

EUV 리소그래피와 원자층 증착법은 반도체 제조 공정에서 서로 보완적인 역할을 합니다.

EUV는 더 작은 특징을 정밀하게 그릴 수 있는 반면,

ALD는 이러한 미세한 특징들 사이에 고품질의 층을 형성할 수 있습니다.

이 두 기술의 결합은 반도체 칩의 성능과 효율을 극대화하며,

미래의 고성능 컴퓨팅과 전자기기 발전에 중요한 역할을 할 것입니다.